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分立半导体
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SCT10N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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数量单价合计
1
¥82.9081
82.9081
10
¥76.2976
762.976
25
¥73.0771
1826.9275
100
¥64.3874
6438.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT10N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SCT10N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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22,500:¥1.2204
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参考库存:50108
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5,000:¥0.61472
10,000:¥0.61472
25,000:¥0.5763
50,000:¥0.51528
100,000:¥0.49946
参考库存:50113
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15,000:¥0.75258
22,500:¥0.67574
45,000:¥0.5989
97,500:¥0.56048
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25:¥704.0804
50:¥689.639
100:¥664.7451
参考库存:50123
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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