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分立半导体
STGB30H60DLFB参考图片

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STGB30H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DLFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V COOLiRIGBT
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.172
100:¥43.5728
参考库存:6385
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥74.0715
10:¥66.9299
25:¥63.8563
100:¥55.4039
参考库存:8387
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
1:¥1,174.7254
参考库存:4499
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:9141
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:54393
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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