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分立半导体
STGB15M65DF2参考图片

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STGB15M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
136 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB15M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB15M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2826
参考库存:2735
分立半导体
桥式整流器 1.0 Amp 100 Volt
1:¥5.2997
10:¥4.2375
100:¥3.2205
500:¥2.6555
1,000:¥2.2261
参考库存:27572
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA Single
1:¥2.9945
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:47539
分立半导体
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6725
500:¥3.6725
1,000:¥2.938
参考库存:7336
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥6.0681
10:¥5.0963
100:¥3.2883
1,000:¥2.6329
5,000:¥2.6329
参考库存:56288
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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