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分立半导体
DMN13H750S-7参考图片

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DMN13H750S-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
130 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN13
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.6 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN13H750S-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥658.2928
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10:¥2.938
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1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7009
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
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1:¥3.0736
10:¥2.0001
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1,000:¥0.56839
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1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:44092
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    50万现货SKU

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