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分立半导体
STD3LN80K5参考图片

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STD3LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9551
595.51
500
¥5.2658
2632.9
2,500
¥3.6838
9209.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.75 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
2.63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD3LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
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