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分立半导体
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STGP6M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，STGP6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1B F2G
Taiwan Semiconductor
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15,000:¥0.75258
22,500:¥0.67574
45,000:¥0.5989
97,500:¥0.56048
参考库存:52091
TSPB5H120S S1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 5amp 120v
6,000:¥1.5594
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桥式整流器 35A, 800V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥7.91
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2,000:¥5.7065
4,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:52106
TSP10U45S S1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 10amp 45v
6,000:¥2.3052
参考库存:52111

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