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分立半导体
STP100N8F6参考图片

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STP100N8F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP100N8F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP100N8F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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分立半导体
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1:¥19.0518
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
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3,000:¥5.989
6,000:¥5.7743
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参考库存:31946

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    50万现货SKU

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