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分立半导体
STGIPQ8C60T-HZ参考图片

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STGIPQ8C60T-HZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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库存:3,433(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.9981
74.9981
10
¥67.7774
677.774
25
¥64.6247
1615.6175
100
¥56.0932
5609.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
19.2 W
封装 / 箱体
N2DIP-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
STGIPQ8C60T-HZ
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPQ8C60T-HZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODE
1:¥5.0737
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8419
参考库存:23320
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
10,000:¥1.2317
参考库存:31247
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
5,000:¥1.03734
10,000:¥0.96841
参考库存:31252
分立半导体
整流器 30.0 A 100 V SCHOTTKY DI
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.7969
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:31257
分立半导体
MOSFET
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
参考库存:18337
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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