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分立半导体
STF28N65M2参考图片

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STF28N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF28N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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