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分立半导体
STGW30M65DF2参考图片

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STGW30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGW30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,1000V,75NS,ULTRAFAST RECT
1:¥5.6048
10:¥5.0737
100:¥3.3222
1,000:¥1.11418
5,000:¥0.91417
参考库存:52988
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:52993
分立半导体
稳压二极管 500mW 1.5Vf 5.1Vz 50uA 55mA 0.97Vz
10,000:¥0.27685
20,000:¥0.26103
50,000:¥0.24634
100,000:¥0.2147
参考库存:52998
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,45V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.6049
25:¥6.8591
100:¥6.0116
800:¥3.6838
2,400:查看
参考库存:53003
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:53008
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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