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分立半导体
STI33N65M2参考图片

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STI33N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
117 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI33N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，STI33N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG05B43-M3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:43330
S2J-M3/52T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1.5A, 600V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT
13,500:¥0.64523
25,500:¥0.60681
参考库存:43335
1N4752PE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:43340
FZ2400R12HE4_B9
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:43345
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.4634
参考库存:727641

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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