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分立半导体
STGP5H60DF参考图片

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STGP5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6782
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP5H60DF
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGP5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBJ5924BE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥4.9946
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:45793
BTA316-600BT,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
1:¥8.3733
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
参考库存:45798
BZT52C39-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500mW 39V Zener AEC-Q101 Qualified
10,000:¥0.20001
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.17628
参考库存:308251
TP2640N3-G P005
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥8.6106
25:¥7.1416
100:¥6.5314
250:¥6.0794
2,000:¥6.0794
参考库存:45805
1N4982US
Semtech
分立半导体
稳压二极管 100V ZENER 500W
1:¥92.208
10:¥83.8347
25:¥77.5293
50:¥73.3822
参考库存:45810

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    50万现货SKU

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