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分立半导体
STB80N4F6AG参考图片

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STB80N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.6049
760.49
500
¥6.7235
3361.75
1,000
¥5.2997
5299.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB80N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46.1 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
商品其它信息
优势价格,STB80N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
达林顿晶体管 300mA 30V NPN
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:144378
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1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:98885
分立半导体
分立半导体模块 Power FREDFET - MOS8
1:¥226.7571
5:¥216.5306
10:¥209.7732
25:¥192.7893
参考库存:2522
分立半导体
稳压二极管 12V 1W ZENER 5%
1:¥1.921
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:137024
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129396
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    50万现货SKU

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