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分立半导体
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STGB6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFM202
Rectron
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 GP Sup Fast Si Rect SMB,2A,100V,35ns,GP
6,000:¥0.44522
参考库存:43629
JANS1N4624-1/TR
Microsemi
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稳压二极管
50:¥559.7794
100:¥548.0274
参考库存:43634
2N335T2
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:43639
05H2-W
Rectron
分立半导体
整流器 0.5A 100V 50ns mini-SMA
10,000:¥0.27685
参考库存:43644
JANTX1N5296UR-1
Microsemi
分立半导体
稳流二极管 Current Regulator
100:¥311.0438
250:¥290.297
参考库存:43649

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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