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分立半导体
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STP110N8F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.1473
4073.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
46.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STP110N8F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
49 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，STP110N8F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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1,000:¥18.7467
2,500:¥17.289
5,000:¥16.3624
参考库存:30666

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    50万现货SKU

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