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分立半导体
STP9N80K5参考图片

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STP9N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP9N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65.3 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP9N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2,000:¥2.4408
参考库存:59091
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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