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分立半导体
SSM6N17FU(TE85L,F)参考图片

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SSM6N17FU(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.5143
35.143
100
¥1.1752
117.52
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.76049
2281.47
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
SSM6N17FU
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
20 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，SSM6N17FU(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4425DDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
2,500:¥3.5369
参考库存:97526
C3D10170H
Wolfspeed / Cree
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
1:¥154.4484
100:¥141.0805
500:¥127.6335
参考库存:3398
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
1:¥27.7415
10:¥23.5153
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:2855
RHRP3060
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
整流器 30A 600V
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
参考库存:42537
IPP020N08N5AKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:13109

  • 海量现货

    50万现货SKU

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