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分立半导体
STB23NM60ND参考图片

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STB23NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS
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数量单价合计
1
¥49.8669
49.8669
10
¥45.1096
451.096
25
¥42.9513
1073.7825
100
¥37.3465
3734.65
1,000
¥28.2726
28272.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19.5 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB23NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB23NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥12.5995
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
2,500:¥8.4524
参考库存:34251
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    50万现货SKU

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