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分立半导体

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APT85GR120L

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存：1,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥121.7123
121.7123
10
¥110.6496
1106.496
25
¥102.3554
2558.885
50
¥96.8184
4840.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
962 W
封装 / 箱体
TO-264-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格，APT85GR120L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UZ8745
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥227.9888
5:¥217.7623
10:¥210.9258
25:¥193.8628
参考库存:36725
JANTX1N6329US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥154.9117
250:¥142.154
500:¥135.2384
参考库存:36730
1N4111UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
249:¥31.7304
250:¥28.589
500:¥25.6623
1,000:¥21.6734
参考库存:36735
ALD910016SALI
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:36740
JANS2N2219AL
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥675.8869
100:¥661.2082
参考库存:36745

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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