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分立半导体
STH410N4F7-2AG参考图片

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STH410N4F7-2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
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库存：9,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥31.1202
311.202
100
¥27.0522
2705.22
250
¥25.6623
6415.575
1,000
¥19.3682
19368.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
365 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH410N4F7-2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
-
下降时间
44.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
198 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
108 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH410N4F7-2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4752A G
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
257:¥27.6624
500:¥24.6679
1,000:¥20.8259
2,500:¥19.2891
5,000:¥18.2156
参考库存:41076
80CNQ045A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45V 80A Schottky D61-8
1:¥158.2904
10:¥143.9168
20:¥133.0914
50:¥125.9385
参考库存:41081
R6004CNDTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7235
5,000:查看
参考库存:41086
AUIRF2805STRL
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
800:¥15.9782
2,400:查看
参考库存:41091
FS100R12KT4GPBPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
暂无价格
参考库存:41096

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