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分立半导体
STB33N65M2参考图片

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STB33N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
41.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB33N65M2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB33N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6430
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3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:81813

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