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分立半导体
STD6N65M2参考图片

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STD6N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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库存:16,326(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.5258
752.58
500
¥6.6444
3322.2
2,500
¥4.6556
11639
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
系列
STD6N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双向可控硅 40 Amp 800 Volt
1:¥49.3358
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10:¥5.65
100:¥4.2827
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1,000:¥2.8363
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100:¥12.5204
500:¥10.9158
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10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171667
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    50万现货SKU

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