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分立半导体
IAUT200N08S5N023ATMA1参考图片

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IAUT200N08S5N023ATMA1

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库存:14,586(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001688332
商品其它信息
优势价格,IAUT200N08S5N023ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥0.26103
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
99,000:¥0.1695
参考库存:30325
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:30330
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.5 Watt IR = 5uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:30335
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:30340
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.5 Watt 2%
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:30345
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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