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分立半导体
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STD170N4F7AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
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1
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11.752
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7913
3395.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
172 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STD170N4F7AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,STD170N4F7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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