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分立半导体
STB30N65M5参考图片

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STB30N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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库存:13,945(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
1,000
¥21.5152
21515.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB30N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB30N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MT
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
4,800:¥7.1416
9,600:查看
参考库存:48931
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 1Kbit EEPROM
1:¥3.0736
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:17678
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,020.277
5:¥1,000.5359
10:¥967.4947
25:¥926.5322
150:¥830.7986
参考库存:5265
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Small-Signal Schotky 0.1A 40V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:28067
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 3A
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:209239
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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