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分立半导体
STGB30H60DFB参考图片

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STGB30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
1:¥5.0737
10:¥4.0454
100:¥3.0736
500:¥2.5425
1,000:¥2.4069
3,000:¥2.1244
参考库存:30997
分立半导体
稳压二极管 200mW 10V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:45804
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.44522
参考库存:87391
分立半导体
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
1:¥7.0738
10:¥5.8195
100:¥4.4748
500:¥3.842
2,500:¥3.842
参考库存:12243
分立半导体
整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A
1:¥1,017.0565
5:¥997.0781
10:¥950.5899
25:¥930.6115
参考库存:2205
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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