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分立半导体
STGW30V60DF参考图片

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STGW30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：6,871(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.1308
4282.7
500
¥15.368
7684
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，STGW30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3022BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥111.5762
250:¥101.7339
500:¥95.2025
1,000:¥87.2925
参考库存:48269
TPCA8020-H(TE12LQM
Toshiba
分立半导体
MOSFET MOSFET N-Ch 40V 7.5A Rdson=0.027Ohm
暂无价格
参考库存:48274
SMBJ4740A/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:48279
JAN1N5536D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥127.1702
250:¥115.8702
500:¥108.4235
参考库存:48284
1N5998UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
264:¥26.9731
500:¥24.0464
1,000:¥20.2835
2,500:¥18.7467
5,000:¥17.7523
参考库存:48289

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