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分立半导体
STGB40H65FB参考图片

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STGB40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
1,000
¥12.9046
12904.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40H65FB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NZH9V1B,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:46248
SBR20A200CTFP
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 200V
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0794
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
参考库存:2820
RSF014N03TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:30437
X0202MA 2BL2
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 1.25 Amp 600 Volt
1:¥5.989
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,000:¥2.1583
参考库存:44769
NZX4V3D,133
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:43371

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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