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分立半导体
STGW20NC60VD参考图片

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STGW20NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
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数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.6677
5166.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW20NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW20NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
1:¥23.278
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:7462
分立半导体
整流器 FAST DUAL 20A 200V
1:¥9.4468
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:23464
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPPWR THERM TRAK
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:7301
分立半导体
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.278
100:¥19.21
250:¥18.5998
参考库存:4278
分立半导体
MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
2,500:¥3.0623
参考库存:55495
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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