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分立半导体
STGB4M65DF2参考图片

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STGB4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
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库存:13,098(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3675
536.75
500
¥4.746
2373
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB4M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Thyristors - A-PUK
1:¥631.6248
5:¥619.1722
10:¥593.2839
25:¥574.153
参考库存:3723
分立半导体
稳压二极管 3.9V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:9830
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:11182
分立半导体
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3699
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 1 Watt 5%
1:¥3.616
10:¥2.6103
100:¥1.5255
1,000:¥0.64523
5,000:¥0.56048
参考库存:95686
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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