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分立半导体
STGP35HF60W参考图片

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STGP35HF60W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz
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数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP35HF60W
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGP35HF60W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4987DUS
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥269.4033
250:¥251.425
参考库存:45037
1N4752CP/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥12.3735
4,500:¥11.9102
参考库存:45042
CDLL5291/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥162.7426
200:¥149.2956
500:¥142.154
参考库存:45047
JAN2N4261/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥217.6832
250:¥199.784
参考库存:45052
1N5346/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:45057

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