STGIPQ5C60T-HZS详细参数_参考价格_STGIPQ5C60T-HZS PDF资料_STMicroelectronics

分立半导体

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制造商:STMicroelectronics
批号:新批次
描述:IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.15 V
在25 C的连续集电极电流	5 A
Pd-功率耗散	13.6 W
封装 / 箱体	N2DIP-26L
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
系列	STGIPQ5C60T-HZS
商标	STMicroelectronics
安装风格	Through Hole
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	360
子类别	IGBTs
商标名	SLLIMM

商品其它信息

优势价格，STGIPQ5C60T-HZS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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