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分立半导体
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STGW35NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V
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数量单价合计
1
¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW35NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW35NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ56D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥7.1642
4,500:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:35221
BCR30FR-8LB#BB0
Renesas Electronics
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
暂无价格
参考库存:35226
JAN1N6630/TR
Microsemi
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100:¥123.6333
250:¥112.7288
500:¥105.429
参考库存:35231
JANTXV1N5614US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
153:¥94.129
250:¥85.8348
500:¥80.2978
1,000:¥73.6873
参考库存:35236
JANTXV1N4622UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥144.3801
200:¥132.549
500:¥126.0967
参考库存:35241

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    50万现货SKU

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