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分立半导体
STB28N60M2参考图片

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STB28N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥33.2672
33.2672
10
¥28.2726
282.726
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.278
5819.5
1,000
¥17.5941
17594.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB28N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
14.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB28N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥19.5942
10:¥16.2946
100:¥12.5995
500:¥11.0627
3,000:¥8.5315
6,000:查看
参考库存:33211
分立半导体
IGBT 晶体管 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
1:¥80.6029
10:¥74.1506
25:¥71.077
100:¥62.6246
参考库存:10043
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 200 Volt
1:¥21.0519
10:¥17.4472
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.831
参考库存:8965
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:18967
分立半导体
整流器 1.0 Amp 1000 Volt Glass Passivated
1:¥3.5369
10:¥2.3956
100:¥1.6159
500:¥1.2995
3,000:¥0.89948
6,000:查看
参考库存:47279
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    50万现货SKU

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