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分立半导体
SQP10250E_GE3参考图片

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SQP10250E_GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220AB
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库存：4,833(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.5262
1552.62
250
¥15.0629
3765.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，SQP10250E_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMAJ5936B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1.5W 30V
1:¥3.5369
10:¥2.3278
100:¥1.5707
500:¥1.2995
7,500:¥0.76049
22,500:查看
参考库存:38272
SZMM3Z9V1T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.2W 9.1V
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:79909
IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:2731
STTH3012D
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
参考库存:6913
SI4943BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20V 8.4A 2W
1:¥15.9782
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4693
2,500:¥7.4693
参考库存:33200

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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