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分立半导体
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STGD6M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD6M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:¥5.876
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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