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分立半导体
STGP30H60DF参考图片

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STGP30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:11,954(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGP30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:36599
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9719
参考库存:36604
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:36609
分立半导体
整流器
1:¥400.4155
2:¥393.1157
5:¥388.5844
10:¥376.8211
参考库存:36614
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
10,000:¥0.69156
20,000:查看
参考库存:36619
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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