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STGB15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
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库存：6,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB15H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGB15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5543DUR-1/TR
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整流器 A -CT 50A STD 1KV
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JANS1N4130UR-1/TR
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稳压二极管
50:¥609.1152
100:¥595.8942
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1N4744P/TR12
Microsemi
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4,000:¥9.831
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JANS1N4122C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥951.121
参考库存:35345

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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