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分立半导体
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STGW8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.6676
1866.76
250
¥17.7523
4438.075
500
¥15.9104
7955.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW8M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGW8M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
3,000:¥6.4862
6,000:查看
参考库存:22311
IPL65R340CFDAUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
3,000:¥8.7575
6,000:查看
参考库存:22313
1N6127A
Semtech
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 500W 75V
250:¥85.9817
500:¥76.5349
1,000:¥73.7664
参考库存:45242
NVMFS5C410NLWFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
5,000:¥9.1417
10,000:¥8.8366
参考库存:45247
T2251N80TOH
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 8KV 67KA
1:¥19,259.6409
参考库存:45252

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    50万现货SKU

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