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分立半导体
STGW80H65FB参考图片

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STGW80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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库存：5,172(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3499L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥132.2439
250:¥120.5597
500:¥112.7966
参考库存:33701
JANTX1N4135UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥88.9762
200:¥81.1453
500:¥75.9134
1,000:¥69.6193
参考库存:33706
JAN1N3037C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥126.1758
200:¥115.034
500:¥107.6551
参考库存:33711
JANTXV1N4955/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.8237
250:¥81.9137
500:¥76.614
1,000:¥70.3086
参考库存:33716
JANTX1N6330US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.6389
200:¥111.8022
500:¥104.5815
参考库存:33721

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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