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分立半导体
NTGS5120PT1G参考图片

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NTGS5120PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.1979
31.979
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTGS5120P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
4.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
8.7 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGS5120PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥75.3823
参考库存:59560
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    50万现货SKU

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