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分立半导体
STU10N60M2参考图片

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STU10N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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库存:21,667(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
560 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU10N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU10N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET AFSM T6 40V LL NCH
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
3,000:¥19.5942
参考库存:16462
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
5,000:¥2.1018
参考库存:26464
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:1796
分立半导体
桥式整流器 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
1,000:¥4.4974
参考库存:10958
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V
1:¥861.5346
5:¥845.7033
10:¥807.6675
25:¥780.7735
参考库存:1570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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