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分立半导体
BUL381D参考图片

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BUL381D

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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库存:12,764(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
800 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.1 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL381D
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
70000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUL381D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.7176
1,000:¥1.2882
参考库存:30008
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥28.2048
10:¥23.3571
100:¥19.21
250:¥18.5998
500:¥16.7466
1,000:¥16.7466
参考库存:3900
分立半导体
SCR 600V 20A
1:¥15.9104
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.4467
参考库存:6312
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:124419
分立半导体
IGBT 晶体管 40A 650V MONOLITHIC RC IG
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
参考库存:6826
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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