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分立半导体
STI33N60M2参考图片

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STI33N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
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库存:8,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI33N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
109 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,STI33N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.6104
10:¥4.1471
25:¥3.4578
100:¥3.1527
250:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:46655
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
99,000:¥0.16159
参考库存:46660
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:46665
分立半导体
稳压二极管 200MW 18V
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:46670
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:46675
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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