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分立半导体
STH185N10F3-2参考图片

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STH185N10F3-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.3572
6339.3
1,000
¥19.21
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH185N10F3-2
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99.9 ns
典型接通延迟时间
25.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH185N10F3-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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10:¥21.7412
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5:¥392.5733
10:¥379.8156
25:¥351.2379
参考库存:3942
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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