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分立半导体
PD55008-E参考图片

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PD55008-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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库存：51,925(价格仅供参考)
数量单价合计
400
¥88.592
35436.8
800
¥82.9081
66326.48
1,200
¥73.9246
88709.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.6 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD55008-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CBR1-D010
Central Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 . .
1:¥6.6105
10:¥5.4579
100:¥4.5539
500:¥3.5143
1,000:¥3.1753
参考库存:12098
IRF9383MTRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
4,800:¥7.684
9,600:查看
参考库存:27410
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV
1:¥296.06
5:¥287.8449
10:¥275.9347
20:¥256.0354
参考库存:3507
NTHL040N65S3F
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥71.077
10:¥64.2405
25:¥61.246
100:¥53.1778
参考库存:7889
S300D
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 300A Std. Recovery
1:¥433.6827
5:¥421.0041
10:¥408.1786
20:¥382.505
参考库存:3526

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    50万现货SKU

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