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分立半导体
STGW20H65FB参考图片

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STGW20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAV99T116
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH HI SPEED
1:¥3.2318
10:¥2.2374
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:13845
BZV55C15-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 15V 110Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:162392
IRGIB10B60KD1P
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
1:¥23.9786
10:¥20.3626
100:¥17.6732
250:¥16.7466
500:¥14.9838
参考库存:2704
1N4248
Semtech
分立半导体
整流器 D MET 1A STD 800V
1:¥73.224
10:¥65.9242
25:¥60.0934
100:¥54.1722
参考库存:1961
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SM Sig Schotky Diode 30V 0.1A Single
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:140478

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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