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分立半导体
STH310N10F7-2参考图片

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STH310N10F7-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
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46.0249
10
¥41.5727
415.727
25
¥39.6517
991.2925
100
¥34.4198
3441.98
1,000
¥26.1256
26125.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH310N10F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH310N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:35897
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