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分立半导体
BSL306NH6327XTSA1参考图片

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BSL306NH6327XTSA1

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库存:3,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSL306N H6327 SP001100664
单位重量
14.840 mg
商品其它信息
优势价格,BSL306NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
1:¥165.3642
10:¥150.3013
25:¥139.0013
50:¥131.4755
参考库存:2461
分立半导体
整流器 7A, 600V, ESD PROTECTION, SM
1:¥6.9947
10:¥5.6274
100:¥4.2714
500:¥3.5256
1,500:¥3.5256
参考库存:16713
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2x 5A 60V Rectifier
1:¥9.9101
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.4014
1,000:¥4.2601
参考库存:7210
分立半导体
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.7575
参考库存:15922
分立半导体
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.4408
参考库存:229259
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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