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分立半导体
STGW25H120F2参考图片

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STGW25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW25H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE 40V 2A 95pF
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
参考库存:29641
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70 Volt 200mA Dual Common Cathode
1:¥3.5369
10:¥2.0001
100:¥1.06785
500:¥0.86106
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.5537
参考库存:100053
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2826
参考库存:33695
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 350mW
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:21332
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:23949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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